部分存储产品传来了涨价的消息。“这段时间有的涨了100%，有的一个月内涨了50%，这个月涨幅非常大。”深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽（化名）告诉第一财经记者，一些DRAM产品近期出现涨价山东股票配资，主要是DDR4和DDR3在涨，背后的驱动因素不是需求增长，而是原厂停产。
DRAM即动态随机存取存储器，是目前两种最主要的存储颗粒之一，DDR4和DDR3分别是第四和第三代双倍数据速率SDRAM。市场研究机构的数据也显示，近期DDR4价格涨势尤其迅猛。
频频涨价
据闪存市场数据，在截至5月27日的一周内，多款DDR4产品环比价格上涨，其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95%、15%、10%。TrendForce集邦咨询本月23日、25日、27日、28日和29日发布的市场动态中，也显示多种DDR4颗粒现货价格出现上涨，29日DDR4 8Gb 3200涨幅为4%。
“深圳市场表现火热，买家问价动作较多，部分DDR4价格持续拉升，目标价格也有所提高，但仍难以跟上报价。” TrendForce集邦咨询在29日的市场动态报告中称。
“上周（采购时）我报你4元，你问3.8元行不行。这周再来问价，我说现在4.5元了，你又问能不能按上周报的4元，我说不好意思，马上变成4.8元了。就是按这个节奏涨的。”张丽向记者形容。
涨价背后，今年2月，有消息称美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生产DDR3和DDR4内存。4月，有消息称三星通知了PC制造商，将在今年年底前停产DDR4，最后订购日期定在6月。
三星并未回应市场消息并证实DDR4停产，但市场上已出现连锁反应。TrendForce集邦咨询称，三星、美光DDR3、DDR4停产传闻引发DRAM市场连锁反应，出现备货潮。“三星、SK海力士和美光针对PC及服务器的DDR4和LPDDR4产品陆续发布了EOL（终止生产）通知，最后发货时间预计在2026年第一季度至第二季度。”TrendForce集邦咨询分析师许家源告诉记者，原厂宣布EOL后，买方纷纷抢购补充库存，使4月至5月的颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨。
闪存市场称，在原厂停产部分DDR4、减产LPDDR4X的持续影响下，引发的涨价效应蔓延至渠道成品，较低价的DDR5资源在渠道市场也愈发难觅，使本周渠道DDR5内存条也调涨价格。
不只DDR4在涨价，另一大类存储颗粒中，NAND Flash（一种主要的闪存颗粒）也有部分产品在涨价。张丽告诉记者，涨价最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash，这类产品主要用于智能家居、电视、工业自动化设备、智能穿戴产品等，三星占了这类产品较大的市场份额。据她所知，也是因为原厂发了停产通知，导致MLC NAND Flash市场供应减少，因此近期才会出现涨价。
近日有消息称，三星提前停产MLC NAND Flash，通知只供应至6月，并希望通过涨价使客户知难而退，市场则对三星停供导致供应短缺问题感到担忧，大力囤货。三星在给记者的回应中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真实，而是表示，不对客户有关的事发表评论。
原厂调整生产
涨价是局部现象，虽然业内预计存储行情已在逐步改善，但市场还未因整体需求拔高而出现十分迅猛的整体涨价。
以NAND Flash为例，TrendForce集邦咨询29日发布的报告称，今年第一季度NAND Flash供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下，平均销售价格下降了15%，出货量环比减少7%，该季度前五大NAND Flash品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24%。预计第二季度NAND Flash价格将出现触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10%。
从存储市场整体规模看，也有存储供应链从业者向记者表示，预计今年将比去年有所增长，但幅度预计只有1%~2%。其背后，积极因素包括业内去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求，但整体终端需求还未强劲反弹。
在这种情况下，之所以部分存储颗粒涨价，是因为这些产品并非最新一代的高性能产品，而原厂面向AI带来的新需求，正进行制程转换。
“现在DDR已经做到了DDR5，像三星、海力士这些原厂大厂，它们已经打算将产能转到高性能的产品上，例如HBM（高带宽内存，DRAM的一种），这部分（DDR3、DDR4）已经不是能带来高利润、高毛利的业务了。”张丽解释。
许家源也告诉记者，一些DDR4和LPDDR4将终止生产，主要是因为PC及服务器应用已经逐步从DDR4转向DDR5，同时DDR4系列产品的价格和利润都较低。
有消息称，三星停产DDR4后，将把生产资源集中在DDR5和HBM上。美光则在2025财年第二季度财报中提及销售HBM对毛利率的作用。美光称，该季度综合毛利率有所提高，原因就包括高利润的云产品特别是HBM的销售增加。
MLC也不是NAND Flash最新的技术。MLC即多层单元，从MLC、TLC（三级单元）到QLC（四级单元），NAND颗粒存储密度越来越高。记者了解到，今年以来，包括长江存储、铠侠、Solidigm在内，多家存储厂商已在极力推广QLC产品，推进产品迭代。
面向AI时代调整产品结构的信号越来越明显。目前，高性能存储产品中，HBM已成为英伟达等高性能AI芯片的必备，采用QLC技术的NAND Flash也被认为适合运行AI应用的设备。有供应链厂商向记者解释，存储厂商着急推QLC背后，是AI PC、AI手机这些端侧设备需要存储密度增加。
“原厂在产能资本支出上正在减少，同时存储技术朝更先进制程迁移。” CFM闪存市场总经理邰炜今年早些时候表示，在供应端，整体wafer（晶圆）产出相比以往的增量将明显减少，存储原厂的资本支出将更多投入更先进的封装技术或产品研发上，更侧重HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。
美光在最新财报中表示，公司专注于在现有制造设备中增加HBM产能，以满足2026年的市场需求。今年4月，美光进行了业务部门重组，新成立了向超大规模云客户提供内存解决方案、为数据客户中心客户提供HBM的云内存业务部。美光称，此次重组的背景是高性能内存和存储在推动AI发展方面越来越重要。
SK海力士也在加码布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM销售额中的占比超40%，该公司预计今年该占比将提升至50%以上。
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郑栩彤
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